

Transistör teknolojisi, son yıllarda MOSFET’lerden (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) FINFET’lere (Fin Field-Effect Transistor) ve en sonunda GAAFET’lere evrilmiş durumda. GAAFET transistörler, bilhassa 3nm ve altı üretim süreçlerinde vazgeçilmez bir rol oynuyor. Klâsik transistörlerde kapı (gate) yapısı yalnızca muhakkak yüzeylerle temas ederken, GAAFET teknolojisi kapıyı tüm taraflardan sararak daha uygun bir denetim sağlıyor. Aşağıdaki görselde ayrıyeten Samsung’un GAAFET temelli kendi MBCFET tahlili de yer alıyor.
Çin’den 2D GAAFET atılımı

Araştırmacılar, yaptıkları buluştan “şimdiye kadarki en süratli ve en verimli transistör” olarak bahsediyor. Hatta araştırma grubu, yeni transistörü Intel, TSMC, Samsung ve oburlarının eserlerine karşı test ettiklerini ve eşleşen çalışma şartlarında onlardan daha güzel performans gösterdiğini tez ediyor.
Çin’in çip yarışı
Bu yeni transistör teknolojisi, sadece bilimsel bir gelişme değil; birebir vakitte global çip savaşlarında Çin’in pozisyonunu güçlendirmeye yönelik bir atak olarak da görülüyor. Bilindiği üzere ABD ile Çin ortasındaki ticaret savaşları, Pekin’in en gelişmiş çip üretim ekipmanlarına erişimini kısıtladı.
Özellikle çok ultraviyole (EUV) litografi sistemlerine getirilen ambargolar, Çin’in klasik üretim sistemleriyle rekabet etmesini zorlaştırıyor. Hatta ABD, GAAFET teknolojisine yönelik potansiyel bir yasak da dahil olmak üzere Çin’in teknoloji erişimine yönelik ticari ambargo ve kısıtlamalarını daha da artırmayı planlıyor. Öte yandan Çin, hem yeni teknolojileri yakalamaya çalışıyor hem de yeni kuşak çip üretimine direkt sıçramayı hedefliyor.
Bir yanıt bırakın